Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 1.64312 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDD86113LZ
Numéro de produit DigiKey	FDD86113LZFSTR-ND - Bande et bobine FDD86113LZFSCT-ND - Bande coupée (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86113LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4,2 A (Ta), 5,5 A (Tc) 3,1W (Ta), 29W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD86113LZ Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 285 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 29W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,2 A (Ta), 5,5 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDD86113
Rds On (max.) à Id, Vgs 104mohms à 4,2A, 10V