FDG314P onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FDG314P est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 10’597

Prix unitaire : Fr. 0.29000

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FDG314P
Numéro de produit DigiKey	FDG314P-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDG314P
Description	MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Référence client
Description détaillée	Canal P 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SC-88 (SC-70-6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDG314P Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	650mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,7V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,1ohms à 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	63 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	750mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-88 (SC-70-6)
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base	FDG314