

FDI150N10 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDI150N10OS-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDI150N10 |
Description | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 57 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-262 (I2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDI150N10 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 16mohms à 49A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4760 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 110W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-262 (I2PAK) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.62000 | Fr. 2.62 |
| 50 | Fr. 1.39140 | Fr. 69.57 |
| 100 | Fr. 1.33130 | Fr. 133.13 |
| 500 | Fr. 1.08640 | Fr. 543.20 |
| 1’000 | Fr. 1.04852 | Fr. 1’048.52 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.62000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.83222 |

