FDMS3500 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDMS3500
Numéro de produit DigiKey	FDMS3500TR-ND - Bande et bobine FDMS3500CT-ND - Bande coupée (CT) FDMS3500DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS3500
Description	MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 9,2 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 91 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4765 pF @ 40 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 96W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,2 A (Ta), 49 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDMS35
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,5mohms à 11,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (11)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSC042NE7NS3GATMA1	Infineon Technologies	18’342	BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.63000	Similaire
BSC047N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	20’799	BSC047N08NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.73000	Similaire
BSC057N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	74’813	BSC057N08NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.18000	Similaire
BSC123N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	2’900	BSC123N08NS3GATMA1CT-ND	Fr. 1.62000	Similaire
CSD18537NQ5A	Texas Instruments	5’171	296-36455-1-ND	Fr. 1.13000	Similaire

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Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.20000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.37820

FDMS3500