Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS6673BZTR-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDMS6673BZ
Numéro de produit DigiKey	FDMS6673BZTR-ND - Bande et bobine FDMS6673BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS6673BZ
Description	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 15,2 A (Ta), 28 A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15,2 A (Ta), 28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,8mohms à 15,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5915 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 73W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	FDMS6673