Name: FDN306P
Brand: onsemi
SKU: FDN306PTR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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FDN306P
Numéro de produit DigiKey	FDN306PTR-ND - Bande et bobine FDN306PCT-ND - Bande coupée (CT) FDN306PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN306P
Description	MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 2,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1138 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	FDN306

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