Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDN352AP
Numéro de produit DigiKey	FDN352APTR-ND - Bande et bobine FDN352APCT-ND - Bande coupée (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN352AP
Description	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 1,3 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDN352AP Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 150 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,3 A (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDN352
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 1,3A, 10V