Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

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FDN5618P
Numéro de produit DigiKey	FDN5618PTR-ND - Bande et bobine FDN5618PCT-ND - Bande coupée (CT) FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN5618P
Description	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 1,25 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDN5618P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13.8 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 430 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,25 A (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDN5618
Rds On (max.) à Id, Vgs 170mohms à 1,25A, 10V