Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 0.92966 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDN5632N-F085
Numéro de produit DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Bande et bobine FDN5632N-F085CT-ND - Bande coupée (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN5632N-F085
Description	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 1,7 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDN5632N-F085 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 475 pF @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 1,1W (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7 A (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 82mohms à 1.7A, 10V	Numéro de produit de base FDN5632
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA