


FDP100N10 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDP100N10-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDP100N10 |
Description | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 75 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDP100N10 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7300 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 75A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 2’172 | 296-37482-5-ND | Fr. 1.96000 | Similaire |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 319 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | Fr. 2.29000 | Similaire |
| IXFP130N10T | IXYS | 0 | IXFP130N10T-ND | Fr. 2.31090 | Similaire |
| STP120NF10 | STMicroelectronics | 17’733 | 497-4118-5-ND | Fr. 4.72000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.48000 | Fr. 3.48 |
| 50 | Fr. 1.79420 | Fr. 89.71 |
| 100 | Fr. 1.63110 | Fr. 163.11 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.48000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.76188 |

