FDR844P onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FDR844P
Numéro de produit DigiKey	FDR844P-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDR844P
Description	MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 10 A (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDR844P Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11mohms à 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	74 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4951 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SuperSOT™-8
Boîtier	8-LSOP (0,130po, 3,30mm de largeur)
Numéro de produit de base	FDR84