FDS6576 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FDS6576 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

Panjit International Inc.

En stock: 1’302

Prix unitaire : Fr. 0.82000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDS6576
Numéro de produit DigiKey	FDS6576TR-ND - Bande et bobine FDS6576CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS6576
Description	MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14mohms à 11A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4044 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	FDS65