FDS86242
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FDS6986AS

Numéro de produit DigiKey
FDS6986ASTR-ND - Bande et bobine
FDS6986ASCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FDS6986AS
Description
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 6,5 A, 7,9 A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
PowerTrench®, SyncFET™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,5 A, 7,9 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
29mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
720pF à 10V
Puissance - Max.
900mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
FDS69
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En stock: 7’149
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.21000Fr. 1.21
10Fr. 0.76500Fr. 7.65
100Fr. 0.50900Fr. 50.90
500Fr. 0.39928Fr. 199.64
1’000Fr. 0.36396Fr. 363.96
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2’500Fr. 0.32572Fr. 814.30
5’000Fr. 0.30210Fr. 1’510.50
7’500Fr. 0.29007Fr. 2’175.53
12’500Fr. 0.28550Fr. 3’568.75
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.21000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.30801