FDS9958-F085 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
MOSFET - Matrices 60V 2,9A 900mW Montage en surface 8-SOIC
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MOSFET - Matrices 60V 2,9A 900mW Montage en surface 8-SOIC

FDS9958-F085

Numéro de produit DigiKey
FDS9958-F085TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FDS9958-F085
Description
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 2,9A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2,9A
Rds On (max.) à Id, Vgs
105mohms à 2,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1020pF à 30V
Puissance - Max.
900mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable