FDS9933A onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDS9933A
Numéro de produit DigiKey	FDS9933ATR-ND - Bande et bobine FDS9933ACT-ND - Bande coupée (CT) FDS9933ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS9933A
Description	MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 3,8 A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,8 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	75mohms à 3,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600pF à 10V
Puissance - Max.	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDS99