Name: FDT1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDT1600N10ALZTR-ND
Price: 1.05938 CHF
Availability: InStock

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FDT1600N10ALZ
Numéro de produit DigiKey	FDT1600N10ALZTR-ND - Bande et bobine FDT1600N10ALZCT-ND - Bande coupée (CT) FDT1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT1600N10ALZ
Description	MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 5,6 A (Tc) 10,42W (Tc) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.77 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 225 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 10,42W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur SOT-223-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6 A (Tc)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Numéro de produit de base FDT1600
Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohms à 2,8A, 10V