Name: FDT458P
Brand: onsemi
SKU: FDT458PTR-ND
Price: 1.02695 CHF
Availability: InStock

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FDT458P
Numéro de produit DigiKey	FDT458PTR-ND - Bande et bobine FDT458PCT-ND - Bande coupée (CT) FDT458PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT458P
Description	MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 3,4 A (Ta) 3W (Ta) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	130mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	205 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	FDT458