FDZ191P onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FDZ191P est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 0.09729

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FDZ191P
Numéro de produit DigiKey	FDZ191PTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDZ191P
Description	MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface 6-WLCSP (1x1,5)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-WLCSP (1x1,5)
Boîtier	6-UFBGA, WLCSP
Numéro de produit de base	FDZ191