NVMFS6H801NWFT3G onsemi | FET, MOSFET simples

NVMFS6H801NWFT3G est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

onsemi

En stock: 2’330

Prix unitaire : Fr. 2.90000

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NVMFS6H801NWFT3G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS6H801NWFT3GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS6H801NWFT3GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS6H801NWFT3GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6H801NWFT3G
Description	TRENCH 8 80V NFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 23 A (Ta), 157 A (Tc) 3,8W (Ta), 166W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4120 pF @ 40 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 166W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Ta), 157 A (Tc)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 50A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA	Numéro de produit de base NVMFS6

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NVMFS6H801NWFT1G	onsemi	2’330	488-NVMFS6H801NWFT1GCT-ND	Fr. 2.90000	Équivalent paramétrique

Obsolète

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

NVMFS6H801NWFT3G