FQA33N10 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FQA33N10 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Renesas Electronics Corporation

En stock: 2’708

Prix unitaire : Fr. 11.18000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQA33N10
Numéro de produit DigiKey	FQA33N10-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQA33N10
Description	MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 36 A (Tc) 163W (Tc) Trou traversant TO-3P
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQA33N10 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	163W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3P
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base	FQA3