FQA7N90M onsemi | FET, MOSFET simples

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FQA7N90M
Numéro de produit DigiKey	FQA7N90M-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQA7N90M
Description	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 7 A (Tc) 210W (Tc) Trou traversant TO-3P
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQA7N90M Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1880 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 210W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 900 V	Boîtier fournisseur TO-3P
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQA7
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8ohms à 3,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Obsolète

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Non annulable/Non remboursable

FQA7N90M