Canal N 80 V 16,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 65W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 80 V 16,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 65W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB17N08TM

Numéro de produit DigiKey
FQB17N08TM-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FQB17N08TM
Description
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 16,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 65W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FQB17N08TM Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
QFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
115mohms à 8,25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
450 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,13W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB1
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué.
Non annulable/Non remboursable