Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 2.84303 CHF
Availability: InStock

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FQB55N10TM
Numéro de produit DigiKey	FQB55N10TMTR-ND - Bande et bobine FQB55N10TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB55N10TM
Description	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 55 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQB55N10TM Modèles

Attributs du produit

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 98 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2730 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQB55N10
Rds On (max.) à Id, Vgs 26mohms à 27,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 879

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	Fr. 0.84789	Fr. 678.31
1’600	Fr. 0.78820	Fr. 1’261.12

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.63000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.84303

FQB55N10TM