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FQD2N60CTM-WS est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FQD2N60CTM-WS | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQD2N60CTM-WSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQD2N60CTM-WS |
Description | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 1,9 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FQD2N60CTM-WS Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 235 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 44W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,7ohms à 950mA, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N60CTM | onsemi | 4’844 | FQD2N60CTMCT-ND | Fr. 1.09000 | Équivalent paramétrique |
| AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 34’999 | 785-1180-1-ND | Fr. 0.94000 | Similaire |
| AOD2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 2’357 | 785-1663-1-ND | Fr. 0.94000 | Similaire |
| IRFRC20PBF | Vishay Siliconix | 3’449 | IRFRC20PBF-ND | Fr. 2.11000 | Similaire |
| IRFRC20TRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFRC20TRLPBFCT-ND | Fr. 2.11000 | Similaire |
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