Name: FQD8P10TM-F085
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TM-F085TR-ND
Price: 1.66474 CHF
Availability: InStock

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FQD8P10TM-F085
Numéro de produit DigiKey	FQD8P10TM-F085TR-ND - Bande et bobine FQD8P10TM-F085CT-ND - Bande coupée (CT) FQD8P10TM-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD8P10TM-F085
Description	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	11 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 6,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQD8P10TM-F085 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	530mohms à 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	470 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 44W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FQD8P10