FQN1N60CTA onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQN1N60CTA
Numéro de produit DigiKey	FQN1N60CTACT-ND - Bande coupée (CT) FQN1N60CTATB-ND - Bande et boîte
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQN1N60CTA
Description	MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQN1N60CTA Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande coupée (CT) Bande et boîte
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,5ohms à 150mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	170 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta), 3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
Numéro de produit de base	FQN1N60

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 15’577

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Ce produit n'est plus fabriqué et ne sera plus stocké une fois le stock épuisé. Voir Produits de substitution.

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Bande et boîte