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FQP19N20 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FQP19N20 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQP19N20FS-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQP19N20 |
Description | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 19,4 A (Tc) 140W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FQP19N20 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 140W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,7A, 10V |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NPBF | Infineon Technologies | 27’309 | IRF640NPBF-ND | Fr. 1.49000 | Similaire |
| IRF640PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF640PBF-ND | Fr. 2.91000 | Similaire |
| PJP18N20_T0_00001 | Panjit International Inc. | 0 | 3757-PJP18N20_T0_00001-ND | Fr. 0.46022 | Similaire |
| STP19NF20 | STMicroelectronics | 1’491 | 497-7514-5-ND | Fr. 1.57000 | Similaire |
| STP20NF20 | STMicroelectronics | 1’019 | 497-5812-5-ND | Fr. 1.80000 | Similaire |
Obsolète
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