FQP3N50C-F080 onsemi | FET, MOSFET simples

FQP3N50C-F080 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IXYS

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Prix unitaire : Fr. 4.28000

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FQP3N50C-F080
Numéro de produit DigiKey	FQP3N50C-F080OS-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQP3N50C-F080
Description	MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 1,8 A (Tc) 62W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQP3N50C-F080 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 365 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 62W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,8 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5ohms à 1,5A, 10V	Numéro de produit de base FQP3

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Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXTP1R6N50D2	IXYS	240	238-IXTP1R6N50D2-ND	Fr. 4.28000	Similaire

Obsolète

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

FQP3N50C-F080