FQP4N20L onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQP4N20L
Numéro de produit DigiKey	FQP4N20L-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQP4N20L
Description	MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 3,8 A (Tc) 45W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQP4N20L Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,35ohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	310 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FQP4

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 1.39000	Fr. 1.39
50	Fr. 0.66480	Fr. 33.24

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.