FQPF8N80CYDTU onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FQPF8N80CYDTU
Numéro de produit DigiKey	488-FQPF8N80CYDTU-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQPF8N80CYDTU
Description	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 8 A (Tc) 59W (Tc) Trou traversant TO-220F-3 (Y-Forming)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,55ohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2050 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	59W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Boîtier	TO-220-3 boîtier complet, broches formées
Numéro de produit de base	FQPF8

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Obsolète

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	Fr. 0.88495	Fr. 707.96

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.