HGT1S3N60A4DS9A onsemi | IGBT simples

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HGT1S3N60A4DS9A
Numéro de produit DigiKey	HGT1S3N60A4DS9A-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HGT1S3N60A4DS9A
Description	IGBT 600V 17A TO-263
Référence client
Description détaillée	IGBT 600 V 17 A 70 W Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples	Type d'entrée Standard
Fabricant onsemi	Charge de grille 21 nC
Conditionnement Tube	Td (on/off) à 25°C 6ns/73ns
Statut du composant Obsolète	Condition de test 390V, 3A, 50ohms, 15V
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 600 V	Temps de recouvrement inverse (trr) 29 ns
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 17 A	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 40 A	Type de montage Montage en surface
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,7V à 15V, 3A	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Puissance - Max. 70 W	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Énergie de commutation 37µJ (marche), 25µJ (arrêt)	Numéro de produit de base HGT1S3N60

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Obsolète

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Non annulable/Non remboursable

HGT1S3N60A4DS9A