IRFM120ATF onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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IRFM120ATF
Numéro de produit DigiKey	IRFM120ATFTR-ND - Bande et bobine IRFM120ATFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFM120ATFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	IRFM120ATF
Description	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 2,3 A (Ta) 2,4W (Ta) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 1,15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	480 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,4W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IRFM120