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MMBTH10-4LT1G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
MMBTH10-4LT1G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | MMBTH10-4LT1GOSTR-ND - Bande et bobine MMBTH10-4LT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MMBTH10-4LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | MMBTH10-4LT1G |
Description | RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | MMBTH10-4LT1G Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Puissance - Max. 225mW |
Fabricant onsemi | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 120 à 4mA, 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Statut du composant Obsolète | Type de montage Montage en surface |
Type de transistor NPN | Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 25V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Fréquence - Transition 800MHz | Numéro de produit de base |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBTH10LT1G | onsemi | 0 | MMBTH10LT1GOSCT-ND | Fr. 0.08000 | Recommandation fabricant |
| KST10MTF | onsemi | 5’421 | KST10MTFCT-ND | Fr. 0.08000 | Similaire |
| BFR35APE6327HTSA1 | Infineon Technologies | 4’080 | 448-BFR35APE6327HTSA1CT-ND | Fr. 0.24000 | Mise à niveau |
| BFP450H6433XTMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-BFP450H6433XTMA1TR-ND | Fr. 0.20154 | Similaire |
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 54’947 | BFP650H6327XTSA1CT-ND | Fr. 0.41000 | Similaire |
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