MMDF3N02HDR2G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

MMDF3N02HDR2G est obsolète et n'est plus fabriqué.

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MMDF3N02HDR2G
Numéro de produit DigiKey	MMDF3N02HDR2GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MMDF3N02HDR2G
Description	MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 3,8 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MMDF3N02HDR2G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	630 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	MMDF3