NCP5181DR2G onsemi | Circuits intégrés

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NCP5181DR2G
Numéro de produit DigiKey	NCP5181DR2GOSTR-ND - Bande et bobine NCP5181DR2GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NCP5181DR2G
Description	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NCP5181DR2G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Programmable DigiKey	Non vérifié
Configuration	Demi-pont
Type de canal	Indépendant
Nombre de circuits d'attaque	2
Type de grille	MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation	10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH	0,8V, 2,3V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)	1,4 A, 2,2 A
Type d'entrée	Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	600 V
Temps de montée / descente (typ.)	40ns, 20ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	NCP5181

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Quantité

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Bande coupée (CT)