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NDD03N60ZT4G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NDD03N60ZT4GOSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NDD03N60ZT4G |
Description | MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 2,6 A (Tc) 61W (Tc) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 312 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 61W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur DPAK |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,6ohms à 1,2A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 2’775 | 785-1181-1-ND | Fr. 1.05000 | Similaire |
| IPD60R3K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | 3’116 | 448-IPD60R3K4CEAUMA1CT-ND | Fr. 0.61000 | Similaire |



