Name: NDS352AP
Brand: onsemi
SKU: NDS352APTR-ND
Price: 0.60536 CHF
Availability: InStock

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NDS352AP
Numéro de produit DigiKey	NDS352APTR-ND - Bande et bobine NDS352APCT-ND - Bande coupée (CT) NDS352APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NDS352AP
Description	MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NDS352AP Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	900mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	300mohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	135 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	NDS352

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