NDT451AN_J23Z onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NDT451AN_J23Z
Numéro de produit DigiKey	NDT451AN_J23Z-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NDT451AN_J23Z
Description	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT23-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 7,2 A (Ta) 3W (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 7,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	720 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	NDT451