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Équivalent paramétrique

NRVUS120VT3G
onsemi
En stock: 3’905
Prix unitaire : Fr. 0.38000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

MURS120-E3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 12’706
Prix unitaire : Fr. 0.28000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

MURS120/2
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

MURS120HE3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

MURS120HE3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

MURS120HE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 4’809
Prix unitaire : Fr. 0.47000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

MURS120HE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.13009
Fiche technique
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DO-214AA, SMB
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NRVUS120VT3G-GA01

Numéro de produit DigiKey
488-NRVUS120VT3G-GA01TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NRVUS120VT3G-GA01
Description
DIODE STANDARD 200V 2A SMB
Référence client
Description détaillée
Diode 200 V 2A Montage en surface SMB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
2A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
875 mV @ 1 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
35 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
2 µA @ 200 V
Capacité à Vr, F
-
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AA, SMB
Boîtier fournisseur
SMB
Température de fonctionnement - Jonction
-65°C ~ 175°C
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