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NSBA123JDXV6T1G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NSBA123JDXV6T1GOSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NSBA123JDXV6T1G |
Description | TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 PNP - Prépolarisé (double) 50V 100mA 500mW Montage en surface SOT-563 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 80 à 5mA, 10V |
Fabricant onsemi | Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 300µA, 10mA |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 500mW |
Type de transistor 2 PNP - Prépolarisé (double) | Type de montage Montage en surface |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA | Boîtier SOT-563, SOT-666 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50V | Boîtier fournisseur SOT-563 |
Résistance - Base (R1) 2,2kohms | Numéro de produit de base |
Résistance - Base d'émetteur (R2) 47kohms |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| PEMB10,115 | Nexperia USA Inc. | 2’900 | 1727-7359-1-ND | Fr. 0.39000 | Direct |
| DDA123JH-7 | Diodes Incorporated | 2’988 | 31-DDA123JH-7CT-ND | Fr. 0.41000 | Similaire |
| DDA143TH-7 | Diodes Incorporated | 2’850 | DDA143TH-7DICT-ND | Fr. 0.52000 | Similaire |
| EMB10T2R | Rohm Semiconductor | 7’500 | EMB10T2RCT-ND | Fr. 0.44000 | Similaire |




