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NSVEMD4DXV6T5G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NSVEMD4DXV6T5G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 488-NSVEMD4DXV6T5GTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NSVEMD4DXV6T5G |
Description | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double) 50V 100mA 500mW Montage en surface SOT-563 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NSVEMD4DXV6T5G Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double) | |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) | 100mA | |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) | 50V | |
Résistance - Base (R1) | 47kohms, 10kohms | |
Résistance - Base d'émetteur (R2) | 47kohms | |
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce | 80 à 5mA, 10V | |
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic | 250mV à 300µA, 10mA | |
Courant - Résiduel de collecteur (max.) | 500nA | |
Fréquence - Transition | - | |
Puissance - Max. | 500mW | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | SOT-563, SOT-666 | |
Boîtier fournisseur | SOT-563 | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
Suisse