NTAT6H406NT4G onsemi | FET, MOSFET simples

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Recommandation fabricant

onsemi

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Prix unitaire : Fr. 2.43000

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NTAT6H406NT4G
Numéro de produit DigiKey	NTAT6H406NT4G-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTAT6H406NT4G
Description	MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 175 A (Ta) 90W (Tc) Montage en surface DPAK/ATPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTAT6H406NT4G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8040 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 90W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 175 A (Ta)	Boîtier fournisseur DPAK/ATPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base NTAT6

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDD86367-F085	onsemi	4’368	FDD86367-F085CT-ND	Fr. 2.43000	Recommandation fabricant

Obsolète

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NTAT6H406NT4G