NTBGS1D5N06C onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

NTBGS1D5N06C est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Renesas Electronics Corporation

En stock: 1’345

Prix unitaire : Fr. 4.92000

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NTBGS1D5N06C
Numéro de produit DigiKey	488-NTBGS1D5N06CTR-ND - Bande et bobine 488-NTBGS1D5N06CCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTBGS1D5N06CDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBGS1D5N06C
Description	POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3,7W (Ta), 211W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Ta), 267A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V, 12V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,55mohms à 64A, 12V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 318µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	78.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6250 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 211W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)