Name: NTBV5605T4G
Brand: onsemi
SKU: NTBV5605T4GOSCT-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: InStock

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NTBV5605T4G
Numéro de produit DigiKey	NTBV5605T4GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBV5605T4G
Description	MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 18,5 A (Ta) 88W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTBV5605T4G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	140mohms à 8,5A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1190 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	88W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	NTBV56

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