NTD5862NT4G onsemi | FET, MOSFET simples

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NTD5862NT4G
Numéro de produit DigiKey	NTD5862NT4GOSTR-ND - Bande et bobine NTD5862NT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTD5862NT4G
Description	MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 98 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 82 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6000 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 115W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 98 A (Tc)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,7mohms à 45A, 10V	Numéro de produit de base NTD5862

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDD86540	onsemi	4’668	FDD86540FSCT-ND	Fr. 1.70000	Recommandation fabricant
AOD2606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1477-2-ND	Fr. 0.64134	Similaire
IRLR3636TRLPBF	Infineon Technologies	337	448-IRLR3636TRLPBFCT-ND	Fr. 2.35000	Similaire
TK6R7P06PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	21’246	TK6R7P06PLRQCT-ND	Fr. 1.56000	Similaire

En stock: 529

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Non annulable/Non remboursable

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.93000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.08633

NTD5862NT4G