Name: NTE4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4151PT1GOSTR-ND
Price: 0.44321 CHF
Availability: InStock

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NTE4151PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTE4151PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTE4151PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTE4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTE4151PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Montage en surface SC-89-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTE4151PT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	760mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	360mohms à 350mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	156 pF @ 5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	313mW (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-89-3
Boîtier	SC-89, SOT-490
Numéro de produit de base	NTE4151

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