NTGS3136PT1G onsemi | FET, MOSFET simples

NTGS3136PT1G est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

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NTGS3136PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGS3136PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGS3136PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGS3136PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3,7 A (Ta) 700mW (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGS3136PT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1901 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 700mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,7 A (Ta)	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 33mohms à 5,1A, 4,5V	Numéro de produit de base NTGS3136

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Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDC637BNZ	onsemi	23’152	FDC637BNZCT-ND	Fr. 0.58000	Recommandation fabricant
FDC604P	onsemi	9’382	FDC604PCT-ND	Fr. 0.74000	Similaire
SI3433CDV-T1-E3	Vishay Siliconix	890	SI3433CDV-T1-E3CT-ND	Fr. 0.64000	Similaire
SI3433CDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	25’629	SI3433CDV-T1-GE3CT-ND	Fr. 0.64000	Similaire

Obsolète

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NTGS3136PT1G