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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NTHD3101FT1G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NTHD3101FT1GOSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTHD3101FT1G |
Description | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 3,2 A (Tj) 1,1W (Ta) Montage en surface ChipFET™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NTHD3101FT1G Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 80mohms à 3,2A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 680 pF @ 10 V | |
Fonction FET | Diode Schottky (isolée) | |
Dissipation de puissance (max.) | 1,1W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | ChipFET™ | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
En stock: 3’000
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.40742 | Fr. 1’222.26 |
| 6’000 | Fr. 0.38013 | Fr. 2’280.78 |
| 9’000 | Fr. 0.38000 | Fr. 3’420.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.40742 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.44042 |
Suisse