8 SMD
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NTHD3102CT1G

Numéro de produit DigiKey
NTHD3102CT1GOSTR-ND - Bande et bobine
NTHD3102CT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTHD3102CT1G
Description
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 4 A, 3,1 A 1,1W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTHD3102CT1G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4 A, 3,1 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
45mohms à 4,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
7,9nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
510pF à 10V
Puissance - Max.
1,1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur
ChipFET™
Numéro de produit de base
NTHD3102
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.27000Fr. 1.27
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.27000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.37287