MOSFET - Matrices 20V 3A 1,13W Montage en surface ChipFET™
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NTHD4508NT1G

Numéro de produit DigiKey
NTHD4508NT1GOSTR-ND - Bande et bobine
NTHD4508NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTHD4508NT1G
Description
MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 3A 1,13W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTHD4508NT1G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3A
Rds On (max.) à Id, Vgs
75mohms à 3,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
180pF à 10V
Puissance - Max.
1,13W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur
ChipFET™
Numéro de produit de base
NTHD4508
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Obsolète
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